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三星Galaxy S9,Galaxy S9 Plus内存配置泄露:报告

三星Galaxy S9和Galaxy S9 plus已经出现了不少漏洞,尤其是在中国的微博平台上。现在,另一个漏洞声称已经公布了即将发布的三星旗舰智能手机的RAM和存储配置。根据早些时候的泄露,三星本应在CES 2018上展示Galaxy S9和Galaxy S9 plus,但这并没有发生。三星可能会在巴塞罗那的2018年MWC上展示这些手机,或者我们可以看到Galaxy S9系列像之前的Galaxy S8智能手机一样,在3月份发布时间表。

根据微博上发布的最新消息,三星Galaxy S9将提供两种选择:4GB RAM和64GB存储,4GB RAM和128GB存储。另一方面,三星Galaxy S9 plus将配备6GB RAM和三种存储变体:64gb、128gb和256gb。该微博称,三星可能会推出512GB型号的手机,尽管这可能是暂时的,只在特定市场提供。

SamMobile也报道了这一漏洞,称这可以被视为Galaxy S9最终可能不会配备双后置摄像头。此前的泄露称,三星Galaxy S9 plus将获得双后置摄像头,而不是更小的设备。三星预计将在S9系列上坚持使用Infinity显示屏。

在美国,三星Galaxy S9将搭载高通骁龙845处理器,而在印度和其他国际市场,它将搭载该公司自己的Exynos 9810处理器。三星过去也为Galaxy S8 plus和Note 8推出了更高的RAM和存储变体,所以它可能会在Galaxy S9系列上做同样的事情。

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