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高通的Snapdragon 835处理器将在CES 2017上成为焦点

高通已经推出了一个预告片为其即将推出的Snapdragon 835处理器在其官方Twitter手柄为即将到来的消费电子产品展 (CES) 2017,将于下周在拉斯维加斯开始。CES的日期是2017年1月5日至8日。

Qualcomm的推文除了证实Snapdragon 835将在活动中 “聚焦” 之外,并没有给出太多细节。推特上写道,“我们的#骁龙835处理器将在#CES2017上成为焦点。”另一个说,“我们正在用#骁龙835为#CES2017加电。”

高通公司已经透露,Snapdragon 835将采用三星的10纳米FinFET工艺技术,这意味着一个更小的处理器,可以使用更细的处理器,更大的电池。高通自己的推文表明,更好的电池性能和效率将会在卡片上,我们可以看到更好的支持相机。

11月,高通公司宣布新的金丝龙835是如何建造的; 根据新闻声明,新的处理器是用 “纳米材料-分子和原子小于100纳米 (nm) 在尺寸上,与它们的大粒子对应物表现出不同的特性。“根据该公司的说法,“一些增强的纳米材料特性包括重量更轻,强度更高,以及更高的化学反应活性。”

另请阅读: 高通与三星的10纳米设计Snapdragon 835 SoC合作伙伴

根据该公司的说法,10纳米芯片 “比一缕头发小1,000倍”,并且 “比他们的前代产品的占地面积要小得多”。高通表示,新节点将 “帮助Snapdragon 835处理器实现高质量的电源效率和性能。”

该公司表示,10纳米FinFET工艺可使面积效率提高30%,性能提高27%,或功耗降低40%。

在线泄密声称三星即将推出的旗舰产品,Galaxy S8可能是第一个搭载835处理器的版本。我们不要忘记,三星总是有一个版本与自己的Exynos处理器。

其他消息称,小米Mi6将是第一款搭载新骁龙835处理器的中国智能手机,将于2月左右发布,尽管一些报道也表示,由于骁龙835处理器的供应问题,该手机的发布可能会推迟到4月。我们将不得不拭目以待,看看是否有新的835芯片在CES上推出的新手机。

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